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湖北深紫科技有限公司

深紫外LED產品目錄
PRODUCT CATALOG

芯片級深紫外LED殺菌技術開拓者

主營深紫外UVC-LED相關產品,270~280nm,2~10mW,60/120°出光角,3535封裝燈珠

湖北深紫科技有限公司

Hubei DUVTek Co., LTD.

湖北省鄂州市梧桐湖新區鳳凰大道9號東湖高新科技創意城B08棟
Building B08, Donghu High-tech Innovation City, No. 9 Fenghuang Avenue, Wutong Lake New District, Ezhou, Hubei, China

湖北深紫科技有限公司,坐落于梁子湖畔的東湖高新科技創意城,是國內高品質深紫外LED核心芯片、器件及其應用產品解決方案的的核“芯”科技企業。

湖北深紫科技有限公司專注于深紫外LED外延、芯片、模組及產品的研發、生產和銷售,產品主要針對于水、空氣的殺菌凈化、食物保鮮、計測光源、光學醫療、保密通訊等領域的需求。公司擁有近千平的千級凈化廠房,擁有包括外延生長、芯片制備及封裝老化測試在內的完備的深紫外LED生產線,國際領先的技術研發能力和成熟的生產工藝。在高溫MOCVD設備、材料生長、芯片制備、器件封裝等方面擁有多項核心知識產權。公司擁有一支由歸國博士、博士后、高級工程師及資深技術人員組成的高水平研發技術團隊,具有豐富的深紫外LED技術研發和生產實踐經驗。公司與國際知名實驗室協同開發,具備持續的技術創新能力,保證了公司產品的高品質和技術的先進性。憑借優秀的研發團隊、豐富的行業經驗,公司已自主研發出高效率深紫外LED(波長范圍260nm-310nm)芯片器件及其相關應用產品系統。

深紫科技以振興民族高新技術產業為己任,秉承創新、開拓、超越、追求卓越的工作精神,致力于成為全球深紫外LED核心器件及其應用產品解決方案頂尖供應商。

研究成果

200余篇相關學術研究論文

19項核心技術專利申請

研究成果

6項已授權,13項發明專利申請

權威認證

光功率由第三方權威機構認證

深紫科技UVC-LED通過IP68認證

權威認證

國家光電子信息產品質量監督檢驗中心

同行認可

團隊成員多次受邀參加國內外學術會議,

進行國內外學術報告,受到同行廣泛關注。

同行認可

諾貝爾獎獲得者中村修二與團隊帶頭人陳長清博士進行紫外LED技術探討

產品型號 產品類別 產品圖片 晶體質量 (002) 晶體質量 (102) 外延層厚度 表面粗糙度 邊緣扣除 規格書
WAlN-SA400 AlN外延片/模板 SA400 ≤ 80 arcsec ≤ 400 arcsec 2~3 μm ≤ 2 nm ≤ 3 mm 規格書下載圖片
WAlN-SA600 AlN外延片/模板 SA600 ≤ 80 arcsec ≤ 600 arcsec 1.5~3 μm ≤ 2 nm ≤ 3 mm 規格書下載圖片
WAlN-SA800 AlN外延片/模板 SA800 ≤ 80 arcsec ≤ 800 arcsec 1~3 μm ≤ 2 nm ≤ 3 mm 規格書下載圖片
認證級 產品型號 產品外觀 峰值波長 光功率 驅動電流 工作電壓 封裝形式 出光角 規格書
工業級 L280-QSC1F20M001 QSC1F20M001 270~280 nm 2~4 mW 40 mA 5~7 V 3737 60° 規格書下載圖片
工業級 L280-QSC1F20E006 QSC1F20E006 270~280 nm 6~8 mW 80 mA 5~7 V 3737 60° 規格書下載圖片
工業級 L280-QSC1F30A700 QSC1F30A700 270~280 nm 8~12 mW 120 mA 5~7 V 3737 60° 規格書下載圖片
商業級 L280-PSM1F20M001 PSM1F20M001 270~280 nm 2~4 mW 40 mA 5~7 V 3737 120° 規格書下載圖片
工業級 L280-QSC1F20M001-120° QSC1F20M001-120° 270~280 nm 2~4 mW 40 mA 5~7 V 3737 120° 規格書下載圖片
工業級 L280-QSC1F20E006-120° QSC1F20E006-120° 270~280 nm 6~8 mW 80 mA 5~7 V 3737 120° 規格書下載圖片
工業級 L280-QSC1F30A700-120° QSC1F30A700-120° 270~280 nm 8~12 mW 120 mA 5~7 V 3737 120° 規格書下載圖片

深紫外UVC-LED燈珠詳細規格

品名 燈珠焊盤 Item Symbol Unit Value
QSC1F20M001
3737封裝,3.7×3.7×3.1 mm
氮化鋁陶瓷支架,半球透鏡
QSC1F20M001
峰值波長 Peak Wavelength λp nm 270~280
光功率 Radiant Flux P0 mW 2~4
驅動電流 Forward Current If mA 40
工作電壓 Forward Voltage Vf V 5~7
出光角 Viewing Half Angle 1/2 deg. 60
最大工作電流 Max Forward Current Ifmax mA /
Card image cap
Relative Intensity vs Peak Wavelength
(If = 40 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Radiation Pattern
(If = 40 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Ambient Temperature (If = 40 mA)
無散熱條件下測試,實際使用環境應低于50℃
Card image cap
Forward Current vs Forward Voltage (Ta = 25 ℃)
由于芯片特性不同,以上數據僅供參考
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Current (Ta = 25 ℃)
驅動電流與歸一化光功率的關系
品名 燈珠焊盤 Item Symbol Unit Value
QSC1F20E006
3737封裝,3.7×3.7×3.1 mm
氮化鋁陶瓷支架,半球透鏡
QSC1F20E006
峰值波長 Peak Wavelength λp nm 270~280
光功率 Radiant Flux P0 mW 6~8
驅動電流 Forward Current If mA 80
工作電壓 Forward Voltage Vf V 5~7
出光角 Viewing Half Angle 1/2 deg. 60
最大工作電流 Max Forward Current Ifmax mA /
Card image cap
Relative Intensity vs Peak Wavelength
(If = 80 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Radiation Pattern
(If = 80 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Ambient Temperature (If = 80 mA)
無散熱條件下測試,實際使用環境應低于50℃
Card image cap
Forward Current vs Forward Voltage (Ta = 25 ℃)
由于芯片特性不同,以上數據僅供參考
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Current (Ta = 25 ℃)
驅動電流與歸一化光功率的關系
品名 燈珠焊盤 Item Symbol Unit Value
QSC1F30A700
3737封裝,3.7×3.7×3.1 mm
氮化鋁陶瓷支架,半球透鏡
QSC1F30A700
峰值波長 Peak Wavelength λp nm 270~280
光功率 Radiant Flux P0 mW 8~12
驅動電流 Forward Current If mA 120
工作電壓 Forward Voltage Vf V 5~7
出光角 Viewing Half Angle 1/2 deg. 60
最大工作電流 Max Forward Current Ifmax mA /
Card image cap
Relative Intensity vs Peak Wavelength
(If = 120 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Radiation Pattern
(If = 120 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Ambient Temperature (If = 120 mA)
無散熱條件下測試,實際使用環境應低于50℃
Card image cap
Forward Current vs Forward Voltage (Ta = 25 ℃)
由于芯片特性不同,以上數據僅供參考
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Current (Ta = 25 ℃)
驅動電流與歸一化光功率的關系
品名 燈珠焊盤 Item Symbol Unit Value
PSM1F20M001
3737封裝,3.7×3.7×1.5 mm
氧化鋁陶瓷支架,平面硅膠
PSM1F20M001
峰值波長 Peak Wavelength λp nm 270~280
光功率 Radiant Flux P0 mW 2~4
驅動電流 Forward Current If mA 40
工作電壓 Forward Voltage Vf V 5~7
出光角 Viewing Half Angle 1/2 deg. 120
最大工作電流 Max Forward Current Ifmax mA 60
Card image cap
Relative Intensity vs Peak Wavelength
(If = 40 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Radiation Pattern
(If = 40 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Ambient Temperature (If = 40 mA)
無散熱條件下測試,實際使用環境應低于50℃
Card image cap
Forward Current vs Forward Voltage (Ta = 25 ℃)
由于芯片特性不同,以上數據僅供參考
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Current (Ta = 25 ℃)
驅動電流與歸一化光功率的關系
品名 燈珠焊盤 Item Symbol Unit Value
QSC1F20M001-120°
3737封裝,3.7×3.7×1.5 mm
氮化鋁陶瓷支架,平面透鏡
QSC1F20M001-120°
峰值波長 Peak Wavelength λp nm 270~280
光功率 Radiant Flux P0 mW 2~4
驅動電流 Forward Current If mA 40
工作電壓 Forward Voltage Vf V 5~7
出光角 Viewing Half Angle 1/2 deg. 120
最大工作電流 Max Forward Current Ifmax mA /
Card image cap
Relative Intensity vs Peak Wavelength
(If = 40 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Radiation Pattern
(If = 40 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Ambient Temperature (If = 40 mA)
無散熱條件下測試,實際使用環境應低于50℃
Card image cap
Forward Current vs Forward Voltage (Ta = 25 ℃)
由于芯片特性不同,以上數據僅供參考
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Current (Ta = 25 ℃)
驅動電流與歸一化光功率的關系
品名 燈珠焊盤 Item Symbol Unit Value
QSC1F20E006-120°
3737封裝,3.7×3.7×1.5 mm
氮化鋁陶瓷支架,平面透鏡
QSC1F20E006-120°
峰值波長 Peak Wavelength λp nm 270~280
光功率 Radiant Flux P0 mW 6~8
驅動電流 Forward Current If mA 80
工作電壓 Forward Voltage Vf V 5~7
出光角 Viewing Half Angle 1/2 deg. 120
最大工作電流 Max Forward Current Ifmax mA /
Card image cap
Relative Intensity vs Peak Wavelength
(If = 80 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Radiation Pattern
(If = 80 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Ambient Temperature (If = 80 mA)
無散熱條件下測試,實際使用環境應低于50℃
Card image cap
Forward Current vs Forward Voltage (Ta = 25 ℃)
由于芯片特性不同,以上數據僅供參考
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Current (Ta = 25 ℃)
驅動電流與歸一化光功率的關系
品名 燈珠焊盤 Item Symbol Unit Value
QSC1F30A700-120°
3737封裝,3.7×3.7×1.5 mm
氮化鋁陶瓷支架,平面透鏡
QSC1F30A700-120°
峰值波長 Peak Wavelength λp nm 270~280
光功率 Radiant Flux P0 mW 8~12
驅動電流 Forward Current If mA 120
工作電壓 Forward Voltage Vf V 5~7
出光角 Viewing Half Angle 1/2 deg. 120
最大工作電流 Max Forward Current Ifmax mA /
Card image cap
Relative Intensity vs Peak Wavelength
(If = 120 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Radiation Pattern
(If = 120 mA, Ta = 25 ℃)
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Ambient Temperature (If = 120 mA)
無散熱條件下測試,實際使用環境應低于50℃
Card image cap
Forward Current vs Forward Voltage (Ta = 25 ℃)
由于芯片特性不同,以上數據僅供參考
Card image cap
Normalized Light Output Power vs Current (Ta = 25 ℃)
驅動電流與歸一化光功率的關系

深紫科技,芯片級深紫外LED殺菌技術開拓者